刘南平先生认为很多法学博士论文

刘南平先生认为很多法学博士论文

首先需要收集资料，然后列出大纲，找数据，根据大纲把论文补充完整，然后发在知网上

以下是法律专业毕业论文写作的一些建议，希望有所帮助　　刘南平博士说:　　简单地讲，它(命题)应该是贯穿整个博士论文的中心论点，是你试图在论文中探讨或论证的一个基本问题或基本观点　　在初步阅读文献的基础上，可以拟一个提纲，提纲可以澄清思路，也可以使作者一目了然地看出自己的思路是否前后一致;还可以列一个参考文献目录，使自己明白要看和要找的资料;与人讨论自己的论文构思，也是一个好办法　　问题是否成熟不完全在于这个主题下已经有多少篇论文了，而在于问题是否被人看到了、解决了　　如果你仅仅检索、参考和引用论文，你只能在一个狭隘的圈子里说话，而且往往还无甚新意　　如果你要梳理一个制度的来龙去脉、一个概念的生发演变，那些故纸堆里的东西可能正好是你要找的，那些变化的细节也许正是值得你关注的　　可以这么说，一手资料是金，二手资料是铜，三手资料是垃圾　　一个初入门者，可能会借助作者身份、期刊或者出版社、发表 或者出版 的时间 版次 、被引用乃至下载次数等外在因素去判断，这些不是完全没有道理:　　一个权威期刊上发表的文章，可以假定比一个三流刊物上同主题的文章要靠谱;　　一篇被频繁引用或者大量下载的文章，总比一篇没人引用的同主题文章要好一些;　　一本几次再版或者多次印刷的教科书，大体上是品质的保证;　　你所了解的一位名声在外而素来严谨的学者写的东西，永远值得重视;　　在我看来，文献质量取决于三个因素:　　一是思想的原创性或者出处的原生性;　　二是论证的严谨性或者报道的准确性;　　三是影响力;　　思想的原创性，指一个学术概念或者观点最早是谁、在哪里提出的，或者一个事件最早是谁报道的，通常只有阅读了大量文献，理清思想的脉络以后，才能作出准确的判断　　以美国为例，主流的 Law Review 差不多每个法学院都有，其中最有名的当数「哈佛法律评论」「耶鲁法律杂志」「哥伦比亚法律评论」　　互联网上的信息，必须查到它原始的出处;没有找到原始出处，都属于道听途说　　国家统计局网站提供了各种官方统计数据或者数据链接，　　内事不决问百度，外事不决问谷歌也　　查找文献有两种方法:　　一是确定范围、全面排查，即确定检索范围、检索方式和检索词，进行地毯式的检索;　　二是顺藤摸瓜、延伸阅读，即根据已有文献提供的线索做进一步检索;　　这两种方法应当交替并用，只用一种还不行　　四种比较常用的方法，即现场观察、深度访谈、问卷调查和文献分析　　描述状况的具体方法有好多种，比较常用的有举例说明、统计数据和类比说明三种方法　　要注意的是，用于类比的事物与类比对象不一定有实质上的同源性，其类比也不见得精确合理　　属性分析在教科书中是相当常见的，每讲到一个重要概念，教科书都会给出一个定义，指出它的属性　　如果大家都是从自己定义的概念或者自己奉行的教条出发，以不具有共识的观点作为论证的前提，就无法进行有意义的学术讨论;要真正解决前面所说的行政合同一类的问题，恐怕需要回到原点，把它放在现实情景中重新探讨它的属性　　理想类型则是在对纷繁芜杂的现象进行整理、提炼所得的典型;它不完全对应于经验事实，不是对现实的精确描绘，但又基于经验事实，抓住了现实的一些基本特征　　法律条文作为论据也不是所向披靡的，它作为论据的有效性取决于几个因素:　　一是法条含义的明确性;　　二是法条自身的有效性;　　三是法律条文与论证主题的相关性;　　体系解释，指根据相关条款在法律文本章、节、款、项中的位置来解释该条款的含义;这是文意解释的延伸，但仍然是在法律文本　　运用学说作为论证根据，要注意分析其内在理路，避免简单地"耍大牌"或者"数人头":你搬出梁慧星，我抬出王泽鉴;支持你观点的只有两位学者，支持我观点的有五位学者······这都不是理性讨论的态度　　标题的功能有两种:一是表明论题，二是表明命题梁慧星教授曾提出，标题"必须是动宾结构的短语，不能是句子;只确定研究对象，不表达作者观点"　　"考"，多用于事实问题的考证;"批判"，则火药味较浓，宜慎用;"论纲"，多指问题很大，现在只能说个纲要　　如果用一句话来概括，应当是:与你的研究主题相关的重要的学术文献　　一个最基本的要求是，用自己的语言把相关文献做一个概括叙述;要叙述，而不是罗列　　对相关文献的叙述应当有详有略:　　相对研究主题来说至关重要的文献，宜于在正文中直陈其作者、文献名乃至出处，简短概括其观点或者方法;　　一般重要的文献，可以总而言之，作者、文献名和出处放在脚注中即可;　　不太重要的文献，不必一一提及;　　一般来说，文献综述需要交代前人已经研究了什么、还有什么悬而未决或者基本忽视的;你的研究是针对那些悬而未决或者基本忽视的，文献综述也应当指向这些问题　　归纳现有研究的不足之处，也就暗示了你所做研究的意义所在，这是文献综述必不可少的一部分　　文章中的"注"有两种:一种是标注文献出处的，即"注引";　　另一种是解释相关概念、观点的，即"注释"　　概而言之，引注有三个基本问题，这里先简单作答如下:　　(1)什么情况应当引注?引证重要观点和资料来源，读者可能需要查核和延伸阅读，而又不便在正文中叙明的，应当以引注的方式标明;　　(2)引用谁的文献?应当引用相关的、重要的、原始的文献，并保证引用的全面性和准确性;　　(3)如何引用?保证提供引证文献的必要信息，力求文字简省、意思连贯;　　这三点也可以说是引注的三条基本原则　　论证中所涉及的关键环节，包括涉及的重要观点和关键概念，应当援引相关文献并标明出处　　对中国读者来说，通常不必详细标明哪年哪月哪日由几届全国人大常委会几次会议通过、中华人民共和国主席令第几号发布、哪年哪月哪日起施行等信息，更不必标明载于哪个出版社的哪本书上;否则，就太"老外"了　　实践中，存在一些不恰当引用的现象:　　一是就便引用，即对相关文献不做系统检索，就便引用自己手头的一两本着作;　　二是"名家引用"，即专门引用名家的着作，而忽略了那些不太有名(包括尚未成名)的年轻学者、学生的文献;　　三是不当自引或者"友情引用"，即专门引用自己的着作或者学术亲朋的着作　　有的学生喜欢引用人家着作中提到的印象深刻的事例或者貌似精妙的话语，却不注意该着作的核心观点，这样的学生大概还没有学会引用　　援引前人观点，不遗漏重要的观点　　同一观点有多人表述的，应引注最早的着作，或者同时引注其他有代表性的着作;　　"普遍认为""主流观点"，原则上应当援引至少三种权威文献　　目前，人大「复印报刊资料」「中国社会科学文摘」「新华文摘」等出版物转载或者摘登已经在法学刊物上发表的论文这些工作为读者了解学术动态、查阅论文提供了一些方便，在一定程度上也起到学术评价的作用;但它们都是二手文献，不宜直接引用　　作为一条原则，作者有义务查检文献是否发表;已经发表的，就应当标注发表的信息　　同一篇文章在学术期刊上发表后再收入文集的，一般只引注学术期刊信息，不引文集，这也是对学术期刊首发权的尊重　　法学论文采取篇末尾注很少见，采用页下脚注才是"国际惯例"　　引注符号用阿拉伯数字，有的还加圆圈或方括号;　　对整句话的引注，引注符号置于句后标点符号外;　　其余情形，引注符号一般放在句中标点符号前;　　引注整句话的，可以在引注符号之后空一个字符，以使版面疏朗美观些　　比较通行的有这样几种:　　一是「中外法学」「中国法学」「法学研究」等多家刊物所使用的体例，其中略有不同，姑且称为"法刊体";　　二是高校文科学报上统一使用的体例，姑且称为"学报体";　　此外，还有「北大法律评论」开创的搬用「哈佛法律评论」的体例，姑且称为"哈佛体";这种体例有些 "食洋不化"，现在很少人用了，连「北大法律评论」自己也改了　　直接引用文献的，省略引领词"见";间接引用的，一般要求加引领词"参见"，但也可以不加，因为从引文上是能够看出直接引用还是间接引用;　　如显示其他支持性文献，可用"另参见";其他不同见解或者否定性文献，则加说明性字句，例如"不同的观点，参见······"　　我国早在1987年就制定了「文后参考文献着录规则」 GB7714-1987 ，作为国家标准施行;目前施行的是2005年修订的版本 GB/T7714-2005 　　作者必须时刻牢记，他要努力引起读者的注意并保持读者的兴趣;听众出于礼貌得把讲演一直听完，而读者在任何时候都可以放弃阅读，而一旦他放弃阅读，作者毫无办法让他回头　　人说话要好听，必须去掉那些废话;满口"然后""然后"，听起来就不舒服;学术论文要好读，必须去掉废词，太多的介词、连词和助词，读起来也不舒服　　如果一个句子连着出现两个"的"，最好能够去掉一个;如果一个句子连着出现三个"的"，你一定要想办法去掉一个　　又如，一些作者习惯"但是······却······"连用，语法学家认为，这是个语法错误我倒不觉得绝对不可用，一些时候可以舒缓舒缓语气;但两者连用，毕竟不那么利落，还是慎用　　类似的连接词非常多，这里只举几个常见例子:　　(1)表示并列的，如:"首先、其次、最后"，"第一，第二，第三";　　(2)表示比较的，如"同样"、"类似的"、"相反";　　(3)表示转折的，如"但是""尽管如此";　　(4)表示让步的，如"当然""诚然""固然";　　(5)表示实情的，如"其实""事实上";　　(6)表示因果的，如"由于""正因如此""之所以";　　(7)表示推论的，如"可见""据此";　　(8)表示总结的，如"总之""综上所述"　　太多的"但是""由于""总之"，也会让文章变得滞涩　　正文用宋体，小四号字，5倍行距，每段开头缩进两字　　小标题的序号，有两种标法:　　(1)一种是，用"一、二、三""(一)、(二)、(三)""1、2、3"依次标明序号;　　论文篇幅特别长的，有的还分章节，章节之下再"一、(一)、1"，目前常见的是这一种　　(2)还有一种是，用"1、2、3""1、2、3" "1、2、3"依次标明序号，这一种在法学论文中尚不多见　　在前述第一种标法下，标题序号与标题之间往往用顿号连接　　文章标题用宋体或者标宋，小二字号，加粗，居中，有人把标题用大号字加粗、居左，也可以;　　各章标题 如果需要 用宋体三号字，加粗，居中，各章分页 用分页符隔开 ;　　各节标题 如果需要 用宋体小三号字，加粗，居中，各节之间空一行;　　节以下的一级标题，即"一、二、三······"，使用宋体 或者黑体 四号字，加粗，与正文对齐 缩进两个小四字符 ;　　一级标题上面，空一行;节以下的二级标题，即"(一)、(二)、(三)······"，使用宋体小四，加粗，与正文对齐;　　二级标题上面，也可空一行;　　节以下的三级标题 如果需要 ，即"1、2、3······"，使用宋体或者楷体 小四号字，不加粗，与正文对齐　　脚注用宋体小五号字，一倍行距，开头缩进两字　　思来想去，在学术文章以及正式学术会议上，称"×××教授"之类的学术头衔还是一个比较得体的称呼　　(1)不要贬低他人的智商;　　(2)不要否定他人的人格;　　(3)不要轻率推翻他人观点;　　(4)不要光抓人家小辫子　　「社科学术规范」对学术引文提出两项明确的要求:　　(1)引文应以原始文献和第一手资料为原则;凡引用他人观点、方案、资料、数据等，无论曾否发表，无论是纸质或电子版，均应详加注释;凡转引文献资料，应如实说明　　(2)学术论着应合理使用引文:对已有学术成果的介绍、评论、引用和注释，应力求客观、公允、准确;伪注，伪造、篡改文献和数据等，均属学术不端行为　　(本回答来源于学术堂)

据学术堂的了解，法律论文一般由内容提要、关键词、前言、正文、结语、插图和参考文献几个部分组成　　内容提要:我们生活在一个信息爆炸的时代，学术论文汗牛充栋，一个人终其一生往往无法阅读一个学科所有的论文了读者只能根据自己的需要筛选了，在筛选论文时他们首先看内容提要，以便了解以下信息:1)作者要解决什么问题;2)为什么选这个题目;3)用什么方法(或用什么资料);4)得到了什么结论;5)如果有争议，作者怎么看读者在得到这些信息后，决定要不要看全文所以研究者在撰写内容提要时，需要体现以上几项内容篇幅不能太短，短了不能写足上述要素;当然也不能太长，长了就啰嗦　　 关键词:在信息爆炸的时代，我国读者一般使用知网和JSTOR这样的电子数据库搜索论文时，往往输入关键词所以，研究者在写关键词时需要斟酌，以便让读者找到自己的论文可惜的是，很多人选择关键词往往很随意，选择了一些无关紧要的词我们需要以己度人，了解读者喜欢用什么关键词检索一般来说，关键词要能体现选题的重要方面　　 前言:此部分为正文的前奏，其目的就是回顾研究文献，提出新问题和研究方案这一部分的主要任务是介绍一个选题的研究史，点评前人的论着，既指出他们的成果，又剖析他们的不足实际上，这就是把文献阅读部分的工作成果收入其中在前人的遗留问题之中，挑选一个重要的，又可行的问题作为自己的选题锁定了研究对象还不够，在此部分还要提出一个研究方案来　　正文:此部分要展现论证过程选题不同论证过程也不同，需要分别对待文史方面的选题可以分解成若干子问题，然后提供证据，形成子观点;最后由子观点构成大观点科技考古方面的选题，则需要利用研究方法或技术手段，讨论辨析由此获得的数据，然后得到结论　　结语:结语的要害在于简要重复论文的主要部分，也就是新问题、研究方法、证据和结论结语不能太短，短了不能充分呈现论证过程;不宜太长，长了就有啰嗦之嫌在这个部分不能出现新资料和新观点;任何新资料和新观点(想法)只能出现在正文中，结语只是归纳复述正文的重要内容　　插图:插图样式多样，可以是照片、线图和表格，现在还可以是视频它是重要的支撑资料，一方面可以说明研究对象，一方面可以提供物证它们既可以展示比较抽象的理论、概念和研究对象，帮助读者理解它们，也可以展示物证和数据，支撑论文它们既不能太多，也不能太少，关键是能够说明论文中关键概念、对象，或者呈现数据在此部分，插图要与正文结合;也就是说正文的重要理论、概念和器物需要插图来说明，观点需要物证和数据来支撑;同时插图不能茫无目的，要为论文服务，否则就不要使用插图需要添加文字，说明插图名称、图例、比例当然，如果插图涉及知识产权，还要注明来源　　注释:研究者在写作论文时，少不了引用以往的研究成果，或者观点，或者数据(资料)，或者方法为了尊重以往成果，研究者需要做注释，以避免剽窃之嫌需要注意的是，这里所说的以往成果，既有他人的，也有作者自己的我国不少学者往往在意他人成果，而忽略了自己的成果做注释还有另外用途，就是方便读者查阅出处，检验论文是否严谨扎实因为如果研究者在做注时，没有看过所引论文，或者一知半解，容易出错实际上，注释是一个研究者的信誉晴雨表，如果在注释上不认真，读者会认为研究者是个马虎的人，靠不住的人至于注释的格式，现在各个大学发布的学位论文规范都有说明发表时，各个出版社和期刊也有自己的规定，这里就不赘述了　　文献目录:现在学位论文一般要求在论文末尾放文献目录但是文献目录一定要与脚注相一致，脚注里面出现的目录有，同时目录有的脚注也得有　　论文是一个非常复杂的工程写作一篇论文需要遵循可阅读、可检验、可追溯和可检索四条原则作者需要明白论文的结构，清楚各个要素即内容提要、关键词、前言、正文、结语、插图和参考文献的功能，写好每个要素此外，论文还要注意术语的延续性、体悟读者的需要、避免抄袭、使用平实语言和发掘论文价值

大专法学的论文其实写的还是很标准的，第一时间就可以报考，而且可以写得非常清晰的

南京大学博士论文答辩公告刘玄成

具体原因只有当事人知道，因为外界太多的猜测引起了很多不必要的误会，作为好友发声可能只是想谣言就此停止，并没有其他的意思。

9月19日晚上10点左右，南京大学社会学院心理学系2017届博士生卓某，在南京大学仙林校区的19栋学生公寓跳楼身亡。南京大学宣传部部长告诉《中国新闻周刊》 ，学校保安部、后勤部和相关部门已经对此事进行了调查处理。经过调查，学校得出结论，论文的第一作者导师和学生之间没有争议。没有证据表明是老耿害死了卓。南京仙林派出所仍在调查中，学校和家属还没有收到警方的最后通知，卓学生的真正死因尚不清楚，但警方表示，他们已排除了他杀的可能性。9月19日晚，南京大学仙林校区一名女博士生从宿舍楼跳楼身亡。21日10点左右，她的同学们自发地在坠落地点放上鲜花和蜡烛，并鞠躬表达他们的悲痛。本刊记者/李向水俣，带网络传记论文被导师抢去作业不存在的南大博士生周宁(化名)是卓同学的好朋友。至于耿，他是这篇论文的第一作者，周宁说，这篇论文是在南京工业大学主办的一次会议后发表的。论文题目为耿至卓，作品主要由卓完成。耿曾对论文提出修改意见，具体的修改也由卓同学完成，而耿是文章的第一作者。这篇题为《环境研究的反思: 环境心理学视角》的论文于2018年2月发表在《南京工业大学学报》上，并于2017年12月28日接受发表。2017年10月21-22日，2017年中国人文社会科学环境论坛在南京举行，由南京大学和南京工业大学社会科学系主办。南京大学教授耿爽以「从心理学角度看环境问题: 过去十年国内环境心理学研究回顾」为题作专题演讲。《南京工业大学学报》(社会科学版)主编向记者证实，2017年中国人文社会科学与环境论坛的主题是整理环境学科，要求每位专家提交一篇论文，论文最终以论文的形式发表在《南京工业大学学报》上。耿向会议提交了一份报告，并提供了文件。耿、卓共同签署的文件内容与耿会议报告的内容相同。一些社会科学领域的学者告诉记者，学术会议手稿的第一作者通常由导师签名。此外，2017年9月，卓仪林刚刚开始自己的博士学习，在入学一个多月后的学术会议上，以原创作者的身份撰写和提交论文非常困难。 校方称其不存在无法毕业的压力作为卓某密友，周宁称，由于卓同学与导师耿某某关系较差，她的一些研究想法也被打压。博士生通常在二年级上学期进行的中期考核，但卓某被导师延期一年，与下一级博士生一起进行考核。而一般情况下，全日制博士研究生的中期考核几乎不会出现被延期的情况，因此这件事对卓同学造成了很大压力。不过，记者从相关渠道获取的信息显示，卓同学的博士中期考核结果为“通过”。与卓同学同一个课题组的同学赵正（化名）则表示，卓同学在博士一年级时确实与导师发生过摩擦，但后来就和解了，导师没有进行过打压。此外，卓同学在投的另一篇英文论文就是用导师的项目资助完成的。卓某同课题组的另一名同学刘菲（化名）向记者展示了今年9月10日，卓同学在课题组内祝导师耿某节日快乐的截图。在她看来，卓同学性格开朗，有真性情，平常与课题组同学较好，不存在网传被导师孤立的情况。9月19日晚，南京大学仙林校区一名女博士生从宿舍楼跳楼身亡。21日10时左右，她的同学自发在坠楼地点摆上鲜花与蜡烛并鞠躬表达哀思。本刊记者/李想俣 拍摄周宁解释说，由于社会学院没有心理学博士点，所以此前心理系学生只能在社会学系进行答辩。由于社会学系的老师对心理学的理论和研究方法的认同度不高，所以心理系的学生参与社会学系答辩非常不利，经常被刁难，因而产生很大心理压力。但自2017级后，社会学院主动要求导师自主选择学生答辩所在的系别，并鼓励心理学方向的学生就在本系答辩。心理系的其他教师也都选择让学生在本系参加答辩。但导师耿某某出于个人原因，仍强制要求其组内所有学生在社会学系答辩。据了解，南京大学2020级之前招收的博士研究生学制为三年，博士四年级属于延期毕业。周宁告诉记者，延期毕业对学生意味着国家补助停发，在校住宿也可能得不到保障，这对卓同学造成了较大心理压力。

好友发声把舆论引向了这一边，我觉得可能是故意为止，背后的真实情况现在还不清楚。

行政管理专业硕士研究生培养方案一、招生对象应届本科毕业生，已获得学士学位或具有同等学历的符合国家规定的在职人员，参加全国硕士研究生统一入学考试合格，再经本专业复试合格者。二、学习年限二年半至三年三、培养目标培养掌握马克思主义基本理论，坚持四项基本原则，拥护党的基本路线，热爱祖国，遵纪守法，治学严谨，学风端正，专业基础扎实，具有较强的科研能力和实际工作能力，能够适应我国社会主义现代化建设需要的行政管理方面的高级专门人才。硕士学位获得者应掌握公共行政学的基础知识和研究方法，了解本领域的学术动态，能够从事与本学科有关的研究、教学和其它实际工作。学位论文独立完成，具有一定的理论创新性或实践参考价值。四、研究方向1、行政理论与行政改革2、政府管理3、公共政策4、公共人力资源管理五、培养方式1、硕士研究生入学一年内进行师生双向互选，学科组协调，确定导师，制定培养计划，导师负责全部培养工作。2、重在培养研究生独立开展科学研究的能力。3、要求研究生广泛阅读各种专业文献、资料和论著，提倡研究生选修跨专业课程，鼓励研究生参加各种学术活动，以拓宽知识面，提高综合素质和创新能力。行政管理专业博士研究生培养方案一、培养目标博士学位获得者应系统掌握行政管理的基本理论与方法，了解本学科的最新发展动态，能够独立承担与本学科有关的科学研究和教学工作。学位论文应具有重要的学术意义和现实意义，观点与方法富有创新性，并在深度和广度两方面都达到相应要求。二、研究方向1、公共事务管理、公共政策研究2、公共管理、公共政策与决策研究3、社会保障与公共危机管理研究4、社会政策与社会福利研究5、公共组织理论研究6、社会发展理论研究三、招生对象应届硕士毕业生，已获硕士学位或具有同等学历的符合国家规定的在职人员，参加博士入学考试，笔试和面试均合格者。四、学习年限三年或三年以上。五、培养方式1、博士研究生在招生录取时明确导师，由导师负责成立指导小组，制定培养计划，导师和指导小组全面负责培养工作。2、公共课以讲授为主，基础课和专业课采取讲授、自学和讨论相结合的方法，重在培养博士研究生独立开展科学研究的能力。3、要求博士研究生广泛阅读各种专业文献、资料和论著，提倡博士研究生选修跨专业课程，鼓励他们参加各种学术活动，以拓宽知识面，提高综合素质和创新能力。六、考核方式1、公共课及基础课以笔试为主，由有关教学单位负责相关课程考试。2、专业课采取笔试与专题学术报告相结合的方式，重在考核博士研究生对专业知识的掌握情况，以及运用基本理论分析实际问题的能力。3、中期考核。为保证博士研究生质量，在入学后第三学期末进行中期考核。由导师组成的中期考核小组对博士研究生的学位课程、论文进展情况以及掌握本专业国内外最新研究动态等方面进行考核。考核小组本着公正、负责、实事求是的态度对博士研究生作出评价，评定成绩。对考核不合格或完成学业确有困难者，劝其退学或作肆业处理。七、学位论文学位论文是博士研究生培养的重要环节，应由研究生在导师指导下独立完成。博士研究生在导师指导下选定研究课题。选题应有较高的理论和现实意义，力求和国家、省部级基金项目以及对国民经济、社会发展有重大影响的开发研究项目接轨。论文题目选定后，由学科组组织有关专家审核研究生的开题报告。论文题目确定后，应拟定学位论文工作计划，包括各阶段的主要工作任务。该计划由研究生在导师指导下拟定，经系导师指导小组审核批准后送校研究生院备案。博士生在完成论文过程中，应定期做出阶段性成果。博士论文完成后，论文进行预答辩，通过预答辩的论文方可进行正式答辩，未通过预答辩的，要求研究生在规定的时间内对论文进行修改，经有关专家认可后，再提交正式答辩。八、答辩和学位授予学位论文完成后，应在答辩前至少请5位同行专家（其中至少有2位外单位专家）写出评阅意见，评阅通过后方可组织答辩。博士论文答辩委员会由5人组成（其中外单位专家不少于2人）。导师回避。答辩由答辩委员会主席主持。论文答辩不合格者，经答辩委员会同意，可在一年内修改完成，重新答辩一次。申请博士学位者应按校研究生院规定在国内外核心刊物上发表规定数量的论文，如在答辩时尚未完成上述指标，可在一年内补充。学位论文通过答辩后，校学位论文评定委员会根据答辩委员会意见及院系学位分会的意见并按照有关规定作出是否授予学位的决定。九、质量监测1、建立博士研究生个人教学与研究档案。2、认真遵守中期考核制度，定期进行教学检查与评估。3、对博士研究生的奖学金评奖，严格按专业成绩和科研成果进行。4、对博士毕业后的研究生进行不定期的跟踪调查。

清华大学博士学位论文刘泽文

1999年微电子学研究所发表的学术论文一、器件研究室锗硅微波功率异质结双极晶体管张进书，贾宏勇，陈培毅中国电子学，11，1999我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管（HBT）。其电流增益为50-320，收集极和发射极击穿电压分别达到28V和5V。在共发射极接法及C类工作条件下，连续波功率输出达5W，收集极转换效率为63%，在此基础上900M赫下工作，功率增益达4dB。用于通信领域中的MEMS器件刘泽文，李志坚，刘理天电子科技导报，7， 1999微电子机械系统（MEMS）技术在未来的通信领域中有着广泛的应用，本文介绍了若干个用于通信线路中的MEMS器件。如微电容、微电感、微谐振器、滤波器、微开关等的典型结构形式及其主要性能。用等离子体干法刻蚀制作用于淀积玻英合金微结构阵列的P-硅微模具刘泽文，刘理天，谭智敏，王晓慧，李志坚第二届亚欧等离子体表面工程国际会议，9，北京本文给出了一种利用等离子体干法刻蚀在P型硅上制作微模具，然后通过电化学方法填充模具。从而获得玻莫金属(80％镍、20％铁)微结构的方法。微结构玻莫合金作为一种软磁性材料在MEMS研究中有广泛的用途。为了获得100mm×100mm横向尺寸的微结构，首先用等离子体方法在已形成掩膜图形的硅片上刻出方型深槽。利用CF4和SF6相混合作为腐蚀气体。10分钟即可获得10mm的深槽，该工艺显示出对单晶硅有较高的刻蚀速度。随后把深槽作为模具进行选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极之间的电荷移动，对方槽的底部进行了硼原子掺杂，并利用一特殊夹具。这样直流电镀电流便可以从硅片的背面加入到被镀基底上，从而获得高度均匀一致的微结构。利用该方法已经成功地获得具有高磁导率（1700）的玻莫合金微结构。高性能双轴微加速度传感器制作研究刘泽文，刘理天，李志坚第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京本文给出了将IC工艺与LIGA工艺相结合，在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。由于采用了金属材料，器件在较小的尺寸下可获得较高的灵敏度。采用特殊的结构形成，可使器件处于最佳阻尼状态。制作过程主要包括厚胶光学光刻，淀积电镀种子层，电化学淀积牺牲层、X射线曝光。背面对准X射线光刻掩膜制作研究刘泽文、刘理天、李志坚10th National annual conference on electron beam， ion beam and photon beam， N 1999， Changsha， Hunan深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。由于大多数LIGA掩模支撑膜的光学不透明性，很难进行需要重复对准的多次曝光。我们通过使用背面对准X射线光刻掩膜，很好地解决了这一问题。给出了该掩膜制作工艺的研究结果。整个过程包括沉淀氮化硅、UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Karl Suss双面对准曝光机，可获得2mm的对准精度。台面结构硅光电集成微马达的设计齐臣杰，谭智敏，刘理天，李志坚清华大学学报，39（S1），4为了解决凸极法兰盘结构的静电晃动微马达寿命短和测速困难的问题，提出了一种台面结构的光电集成晃动微马达。用单晶硅台面法兰盘代替悬浮的厚1 mm的多晶硅法兰盘，它具有机械强度高、摩擦系数小、抗磨损、不塌陷等优点。马达的轴也用实心轴取代2 mm空心轴，克服了轴因磨损和受力而变形的问题。使得马达的寿命大大提高。另一方面，在马达上还集成了光电测速电路，可以精确测量马达转速。并且还可以形成闭环控制系统，或用作斩光器，成为真正的微机械电子系统。新型马达工艺简单，与IC工艺完全兼容，可批量制作。光电集成测速硅静电微晃动马达齐臣杰，候 彧，刘理天第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京本文采用微马达与光电二极管一起集成，组成光电测速系统。在马达转子下面集成几个光电二极管，利用反偏二极管的暗电流和亮电流的变化来测量马达的转速。它提高了马达的测速范围，解决了视频摄象测速系统测速低的问题。此外，它还具有测试方便，工艺兼容、准确等优点。还可以制成斩光器。成为光、机、电的MEMS系统。铁电-硅微集成系统（FSMIS）李志坚，任天令，刘理天半导体学报，20（3），1999铁电-硅微集成系统FSMIS是铁电材料与硅工艺相结合的产物，在微电子机械系统（MEMS），存储器等多方面具有极为重要的应用价值。本文介绍了几种重要的硅基铁电膜的制备方法和几种典型的FSMIS应用方向，并对FSMIS领域的未来发展作出展望。 铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究任天令，刘理天，李志坚清华大学学报，39（S1）， 1999目的是为实现高灵敏度的集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。利用锆钛酸铅 (PZT) 铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。利用双膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计，并对其工艺流水过程进行了初步设计，从而为集成微麦克风和扬声器的最终实现奠定了设计基础。铁电-硅集成微麦克风和扬声器可望应用于多媒体语音输入及移动通信等方面。二十一世纪的信息存储技术–––– 硅基铁电存储器任天令，张盛，刘理天，李志坚电子科技导报，9，1999硅基铁电存储器是通过硅加工工艺在半导体集成电路中集成铁电体材料，以利用该材料在信息存储方面优势的新型存储器。这种新兴的存储器是铁电–硅微集成系统FSMIS一个重要的应用，有望在低操作电压、低功耗、高存储密度、优异的非挥发存储性能等多个方面超出单纯的半导体存储器，并很可能成为二十一世纪重要的信息存储技术。硅基PZT微麦克风和扬声器的振膜设计任天令，赵洋，刘理天，李志坚第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京本文的目的是为高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器的核心结构—PZT悬臂式振膜的实现奠定基础。利用锆钛酸铅 (PZT) 铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。利用多膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计，从而为集成微麦克风和扬声器核心结构的最终实现奠定了设计基础。p型ZnSe中的缺陷复合体补偿任天令，朱嘉麟，Z Zhu T YaoJournal of Applied Physics， 86(3)，1999 用离散变分局域密度泛函方法及团簇模型研究了 N和As掺杂 ZnSe中的缺陷复合体。基于两种复合体形成能的差异，发现在N掺杂的ZnSe中NSe-Zn-VSe 是更有效的受主补偿体，而在As掺杂的ZnSe中AsSe-Znint 则更为有效。确定了具有170meV受主能级的NSe-Zn-NSe 及具有88 meV 施主能级的NSe-NZn 复合体。证实了一种N分子施主态的概念。HIP 红外探测器与硅MOS读出电路的单片集成王瑞忠、陈培毅清华大学学报，39（S1）， 1999为了证明P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP 红外探测器与硅MOS读出电路单片集成的可能性，本文对P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP岸红外探测器与硅CMOS读出电路的工艺兼容性进行了分析，并提出一种可行的方案。P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP 红外探测器与NMOS读出开关电路的单片集成试验芯片用硅3 mm NMOS工艺研制成功。在77K下，用分子束外延（MBE）方法生长的无介质光腔和抗反射涂层的P+-Gex/Si1-x/P-Si HIP器件黑体探测率达到11 MHz1/W -1，并成功实现了红外探测器信号通过NMOS读出开关的读出。Cr-AlN界面的二次离子质谱研究*岳瑞峰分析测试学报，18（3），1999采用电子束蒸发的方法在200oC抛光的AlN陶瓷衬底上淀积200 nm的Cr膜，并在高真空中退火。利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs+型二次离子)对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。结果表明，MCs+-SIMS技术是研究金属-陶瓷界面扩散与反应的有效方法。AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨岳瑞峰，王燕Applied Surface Science，（148），1999利用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850－1100oC空气中退火时的初始氧化行为。结果表明，未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在10min退火条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅速增厚。在1100 oC 退火20min条件下，AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后，结合化学热力学，探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究*岳瑞峰硅酸盐通报，（4），1999利用二次离子质谱 (SIMS) 和X射线衍射 (XRD) 研究了用于电子封装的以Dy2O3和CaO为添加剂的AlN和以堇青石、BaCO3为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用SIMS尝试探讨了AlN表面热氧化问题。结果表明，AlN和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Li、C、F、Na、K、Cl、Ti、Rb等杂质元素的污染；AlN表面存在富O层，在空气中经过850oC10分钟退火后，富O层明显展宽。Ti/AlN 界面反应的SIMS， RBS and XRD研究岳瑞峰，王燕Surface and Interface Analysis， 27（2）， 1999采用电子束蒸发的方法在抛光的200oC AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱(SIMS）、卢瑟福背散射谱(RBS)和X射线衍射分析(XRD)技术，研究了从200～850oC温区内Ti与AlN的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。指出铝化物由Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物组成。最后利用热力学理论解释了实验结果。新型双桥结构集成压力传感器的研究与设计岳瑞峰，刘理天，李志坚第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京在利用有限元法分析硅杯结构应力分布的基础上，设计了两种新型双桥结构集成压力传感器。其中压阻电桥位于膜片上的高应力区，补偿电桥位于膜片对角线上或膜片附近逐渐增厚的体硅区，并且组成每个电桥的四个电阻集中设置在同一区域。将压阻电桥和补偿电桥的输出信号相减，可望明显减小压力传感器的失调与温漂。该压力传感器还设置了片内信号处理电路，采用PMOS工艺实现集成制造。模糊神经网络及其VLSI实现的研究陈曦，靳东明，李志坚第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连为了克服模糊逻辑与神经网络的缺点，模糊神经网络成为当今的热点研究领域之一。本文回顾了模糊神经网络的提出和发展，讨论了模型研究的两种主要方法和成果：一种称为基于神经网络的模糊逻辑系统，另一种称为模糊神经元网络。模糊神经网络的VLSI实现是一个比较新的课题。本文首先介绍模糊逻辑与神经网络的VLSI实现，然后讨论了模糊神经网络VLSI实现的研究成果和发展状况。一种实用模糊控制器的研制*王淳，靳东明清华大学学报，39（S1），1999针对一个磁场中悬浮金属小球的控制问题，设计了有两输入一输出有九条规则的模糊控制器。控制器采用了一种新的模糊化和去模糊方法，它克服了通常的模糊化方法中由于把精确量分等级而带来的信息损失。模拟结果表明该方法具有过渡时间短、超调量小和稳定性好的特点。用CMOS电流型电路进行了设计，并用改进型CMOS工艺流水，结果表明该电路较好地达到了设计要求。全部电路近300个MOS管，面积为1 mm2，功耗为7 mW。可编程模糊逻辑控制器芯片的设计*沈杰，靳东明，李志坚电子学报，27（8），1999本文提出了一种由模拟电路实现的通用可编程模糊逻辑控制器PFLC，针对两输入变量、一输出变量的控制对象，允许有81条控制规则。该控制器是由电流型CMOS多值器件构成，采用2mm标准CMOS工艺制造。PFLC有方便的输入/输出接口，其模糊推理过程是并行的，每时钟周期完成一次，最高时钟频率可达1MHz。双MOS晶体管等效电阻* 沈杰，靳东明，李志坚清华大学学报，39（S1），1999用两个源端接地、漏端接在一起的MOS管，使其分别工作于饱和区和非饱和区，可组成等效电阻，即用有源器件实现了电阻的功能。模拟及测试结果表明，当工作电压在1～4 V范围内时，阻值变化在5％以内。双MOS管电阻实际上是对单MOS管线性区电阻的补充和改进，结构简单，阻值从1 kW到几十kW且易于调整，采用标准CMOS工艺制作。Si1-xGex材料和双极型器件的进展贾宏勇，孙自敏，陈培毅，半导体情报，36（3），1999Si1-xGex材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到IV族器件之中。外延Si1-xGex基区的异质结双极型晶体管（HBT）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Si1-xGex同Si集成的BiCMOS工艺取得了很大的发展，已经达到了工业应用的水平。Si1-xGex工艺的发展，电路速度的提高，也促进了微波集成电路的进步，提高了Si MMIC的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（RF）通信中广泛应用的阶段。Si1-xGex HBT技术：射频和微波领域中的新秀贾宏勇，陈培毅，钱佩信集成电路设计，（8），1999本文回顾了过去几年中Si1-xGex材料和器件的发展，展示了其在微波电路中的应用。外延Si1-xGex基区的异质结双极型晶体管（HBT）以其优良的性能，并具有可以同硅工艺兼容的优点，促进了微波集成电路的进步，提高了Si MMIC的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（RF）通信中广泛应用的阶段。SiGe/Si超高真空化学气相外延工艺的研究金晓军，贾宏勇，张进书，钱伟，韩勇，刘荣华，林惠旺，陈培毅，钱佩信清华大学学报，39（S1），1999为了研制出高性能的Si1-xGex/Si异质结器件，生长出适合器件应用的应变Si1-xGex材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）设备，进行了Si1-xGex/Si 异质外延生长工艺的研究。研究了Si1-xGex生长速度以及组份随GeH4流量的变化规律。实验结果表明：Si1-xGex生长速度随GeH4流量明显增加，且外延层中的Ge组份约为气相中GeH4浓度的5倍。提出了一个简单的生长动力学模型，解释了组份与流量的关系。Raman谱分析结果表明外延层为完全应变的。利用该材料制作出了性能良好的二极管。新型硅微加速度传感器的设计与制作李军俊，，刘理天，杨景铭清华大学学报，39（S1），1999本文研究了一种新型的谐振式硅微加速度传感器，对其结构和工艺进行设计，并制作出了一系列不同结构和尺寸的这种器件。该加速度传感器在制作支撑梁的同时制作了用于检测信号的谐振梁，并采用电阻热驱动、压阻桥同步检测的方法来获得信号输出。设计方案利用了压阻传感技术和体硅微加工技术，又拥有谐振原理所带来的高分辨率，高稳定性和易于与信号处理电路结合的优点，以较低的成本获得了很高的器件性能。其结构尺寸从3mm×4mm到6mm×6mm不等。量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响马玉涛，刘理天，李志坚清华大学学报，39（S1），1999本文通过在三角势垒近似下求解薛定谔方程，应用费米统计建立了MOSFET亚阈区经典的和量子力学的载流子分布模型，并从器件开启的实质出发，提出了一种适用于量子力学理论的开启电压定义，进而计算了经典理论和量子力学理论下的亚阈区载流子分布和亚阈区电流，首次系统研究了量子化效应对深亚微米MOSFET亚阈区特性的影响。计算结果表明：在高衬底掺杂浓度时，量子化效应导致载流子浓度和亚阈区电流的显著降低和开启电压的升高，而对亚阈区斜率因子(S)没有明显的影响。本文的工作表明：在深亚微米MOSFET器件亚阈区特性的模型工作和器件设计中，必须考虑量子化效应的影响。包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型马玉涛，刘理天，李志坚半导体学报，20（3），1999量子力学效应对于深亚微米MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著。实验结果表明：量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移。本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性。在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上，提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念，分析了载流子在子带中的分布情况，讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素，并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型。该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质，并给出了与实验数据吻合的结果。关于MOSFET's反型层迁移率全局一致性的讨论马玉涛，刘理天，李志坚IEEE T ED，146（9），1999在已有的关于MOSFET反型层载流子迁移率的全局一致特性的研究中[1-4]，涉及到沟道非均匀掺杂的情况时的结论，存在明显的不统一。通过仔细研究文献[1]中的数据和文献[2]中的参数提取方法，我们发现：这种不统一仅仅是由于文献[1]中的耗尽层电荷的定义与其他文献中不同。同时我们发现文献[2]中从实验数据提取参数的方法是不适用的。本文的研究表明，在非掺杂沟道情况下，在流子迁移率有着与均匀掺杂沟道相同的规律。表面有效态密度及其在MOS结构建模中的应用马玉涛，刘理天，李志坚第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连本文从载流子在MOS结构反型层内的分布特性出发，提出了表面有效态密度(SLEDOS: Surface Layer Effective Density-of-States)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。该模型引入了一种高效的迭代方法，具有较高的计算效率和很强的稳定性。在模型基础上，研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。进而利用SLEDOS的概念建立了一个开启电压量子化效应的修正模型。不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响马玉涛，刘理天，李志坚第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连低温MOS器件因为其固有的高迁移率和优越的亚阈区特性而受到人们的重视。量子化效应对MOSFET反型层载流子浓度和开启电压等特性会产生显著影响。本文首次对不同温度下量子化效应对MOS结构反型层载流子浓度的影响作了系统研究。在较宽的温度范围内 (77K~400K) 和较大的衬底掺杂浓度范围内（1016cm-3~1018cm-3）计算了经典理论分布和量子理论分布两种情况下反型层载流子浓度与栅电压的关系。 计算结果表明: 随着温度的降低， 量子化效应对载流子浓度的影响将会明显增大。在计算中发现：在包含进量子化效应后， MOS器件依然能够保持低温时的优良的亚阈区特性。较弱的反型区域内， 量子化效应对载流子浓度的影响更大。现代MOSFET器件开启电压比较研究马玉涛，刘理天，李志坚第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连衬底非均匀掺杂器件因为其良好的短沟效应而成为MOSFET器件结构设计中的必要结构之一。而沟道杂质分布对开启电压的影响至关重要。本文针对衬底非均匀掺杂的MOSFET器件提出了表面强反型开启电压和恒定载流子浓度开启电压的概念，并在数值求解的基础上验证了两种定义的等效性。进而系统地对衬底杂质均匀分布、台阶状分布和高斯分布三种典型的沟道掺杂结构器件的开启电压进行了比较研究。计算结构验证了台阶状杂质分布结构降低开启电压的作用，以及非均匀掺杂结构相对于均匀掺杂结构减小开启电压的特性。计算结果表明，对于台阶状分布的结构，当低掺杂区域的宽度小于耗尽层厚度时，耗尽层厚度与低掺杂区域的宽度基本无关。文中同时给出了一个适用于台阶状杂质分布的MOS器件开启电压的解析模型。集成微流量控制系统的研究庞江涛，刘理天，李志坚第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京将微流量控制器件与微流量传感器以及相关的信号处理和控制电路相结合的微型化、集成化的微流量控制系统，已经成为MEMS研究的热点之一。本文介绍了集成微流量控制系统的结构与工作原理，制作工艺流程。测试结果表明系统制作工艺简单，与标准MOS工艺完全兼容，为微流量控制系统的实用化奠定了基础。微流量泵微小流量控制特性的研究庞江涛，刘理天，李志坚第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连微流量泵是一类典型的微执行器，在医学、化学、生物工程和电子工程等领域都有着广泛的应用前景。在不同的应用中对微流量泵的流量控制有不同的要求，其中在化学分析系统的应用中要求微流量泵能够实现稳定可控的微小流量，因此，需要对微流量泵的流量控制特性进行深入研究。目前，已经研制出各种驱动方式下工作的微流量泵[1-7]，其中铝硅双金属驱动方式因为它所具有的制作工艺简单，易于与电路集成的特点，得到了较为深入的研究[8]。本文对铝硅双金属驱动微流量泵的流量控制特性，尤其是微小流量控制特性进行了研究。分析以及测试结果表明在各种控制因素中频率是一种最佳的微小流量控制方法。一种谐振式微加速度传感器的设计与制作李军俊，刘理天，杨景铭第六届全国敏感元件与传感器学术会议，10，北京本文报道了一种新型体硅结构谐振式微加速度传感器的设计与制作。该器件采用电流热激振、压阻电桥同步检测的方法来获得信号输出，其敏感结构为高度对称的四角支撑形式，并在质量块四边与支撑框架之间制作了四根谐振梁用于信号检测。该加速度传感器为三层硅结构，制作全部采用硅微机械加工工艺，对制作出的芯片样品，进行了封装测试，并给出了谐振子的性能测试结果。一种新结构的压阻式加速度传感器李军俊，刘理天，杨景铭第十一届全国IC、硅材料学术会议论文集，9，大连本文对压阻式加速度传感器的不同结构进行了分析比较。得出了加速度场中敏感结构的应力集中区分布，给出了优化设计的准则，并据此进行了压敏电桥的设计，提出了一种高性能的四边环绕支撑新结构，并对制作成功的加速度传感器进行了封装测试，结果表明其具有好的性能。硅集成微型泵系统的优化设计和兼容工艺研究庞江涛，刘理天，李志坚清华大学学报，39（S1），1999介绍了一种新型硅集成微型泵系统的工作原理、结构优化、电路设计、制作工艺流程和初步的实验结果。该系统为三片式结构，其中两片由体硅微机械加工技术形成，结构微止回阀门，另一片为集成铝硅双金属驱动结构。驱动结构的结构参数得到了优化设计，提高了工作效率。利用铝硅双金属驱动结构制作工艺的特点，在驱动结构上集成制作了微流量传感器和信号处理电路，实现了系统集成。该集成系统的制作工艺简单，所采用的微机械加工工艺与标准MOS工艺完全兼容。集成微型泵的外形尺寸为6mm×6mm×1mm，最大输出背压力为10 kPa，最大流量可达倒44mL/min。亚1mm栅衬互连体硅MOSFET特性研究刘卫东，李志坚，刘理天清华大学学报，39（S1），1999为满足低电压CMOS晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出5v栅衬互连GBC（gate-body connected）体硅MOSFET工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到70mm的器件结构设计、特性和器件物理研究。得到结果： 5v GBC-MOSFET具有陡直的亚阈特性（10倍电流的S因子为~60vm），高的电流驱动能力和理想的逻辑摆幅，栅衬泄漏电流可以忽略；超浅源漏、非均匀纵横向掺杂的Expoc结构在GBC模式下栅长直到50nm时，仍有很好的Vth可控制性，这一结构的5 v GBC-MOSFET与1V常规MOSFET在宽广的阈值电压设计空间中具有相似的速度品值；其理想栅氧厚度为3nm。石英谐振式力传感器及几个工程问题的研究 王晓红，朱惠忠，董永贵，冯冠平仪器仪表学报，20（3），1999本文介绍了一种高精度石英谐振式力传感器，针对其在工程化过程中遇到的一系列问题，从理论到实验进行了研究，解决了组合式结构石英传感器的蠕变问题，并研究了传感器的稳定性与谐振器厚度及支撑状况的关系。石英谐振式力传感器蠕变特性的研究王晓红，朱惠忠，冯冠平Measurement Science and Technology，10（12），1999本文研究了组合式石英谐振力传感器的蠕变特性及蠕变量的减少方法，针对传感器联结材料的粘弹性特征，对传感器进行了粘弹性力学建模，研究结果表明胶粘剂性能对传感器的蠕变有直接影响；提出了玻璃化转变温度是传感器用胶粘剂最重要的特性，要降低传感器的蠕变误差，胶粘剂必须有远高于工作温度的玻璃化转变温度，设计并研制出了在较宽的温度范围内传感器用胶粘剂。石英谐振式力传感器蠕变特性的实验研究王晓红，董永贵，朱惠忠，冯冠平3rd International Symposium on Test and Measurement， Xian， China， June 本文介绍了一种组合结构的石英谐振式力传感器，鉴于这种传感器的蠕变误差较其它传感器大，本文就这一问题进行了实验研究，研究了传感器误差的主要来源与环节。结果表明，胶粘剂的特性直接影响传感器的蠕变量，尤其是胶粘剂的玻璃化转变温度是影响传感器蠕变量的最重要的指标。900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性张进书，金晓军，贾宏勇，陈培毅，钱佩信，罗台秦，杨增敏，黄 杰，梁春广]半导体学报，20（4），1999本文对用准泡发

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您好，不是微纳电子系的，不太清楚，但是能够查到微纳电子系研究生培养方案。一、简介我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下五个方面：微/纳电子器件及系统;集成电路与系统;集成电路工艺与纳米加工技术;半导体器件物理与CAD;纳电子学与量子信息技术。我所研究生课程共设置27门;目前在校学生数：博士生85人;硕士生:343人(包括工程硕士243人)。2009年共招收研究生136名(其中博士生19名，工学硕士研究生26名，工程硕士研究生91名);毕业研究生105名(授予博士学位14名，工学硕士学位22名，工程硕士学位69名。二、课程设置研究生课程共设置27门，本年度已开课程23门。具体内容介绍如下：课程编号：71020013 课程名称： 半导体器件物理进展 任课教师：许 军 内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析;载流子散射理论与强场热载流子输运;短沟MOS器件物理;异质结构物理与异质结器件;半导体的光电子效应与发光;非晶半导体与器件。 课程编号：71020023 课程名称：数字大规模集成电路 任课教师：周润德 内容简介：VLSI小尺寸器件的模型和物理问题;MOS数字VLSI的原理、结构和设计方法;VLSI电路中的时延及各种时钟技术;VLSI的同步时钟和异步时钟系统;逻辑和存储器的VLSI系统设计方法及VLSI的并行算法和体系结构。 课程编号：71020033 课程名称：模拟大规模集成电路 任课教师：李福乐 王志华内容简介：本课程是在本科课程《模拟电子电路》、《模拟集成电路分析与设计》之后的专业课程。目的是学习模拟集成电路的设计规律和方法，增加设计出电路的可制造性，提高一次性设计成功的可能性。课程内容包括：器件模型与电路仿真、模拟集成电路单元、放大器设计、高性能放大器、比较器、A/D与D/A变换电路、芯片的输入与输出、可制造性与可测试性、版图与封装等。 课程编号：71020043 课程名称：数字VLSI系统的高层次综合 任课教师：魏少军 内容简介：VHDL语言简介，设计流程，行为描述与仿真，行为描述与目标结构的匹配，数据通道设计，控制器设计，测试向量生成，系统验证;行为设计和数据通道与控制器的设计与优化;综合VHDL描述，算子调度，资源分配，寄存器优化，控制码生成，控制器结构选择，状态化简。 课程编号：71020053 课程名称：集成电路的计算机辅助设计 任课教师：余志平 叶佐昌 内容简介：射频(RF)电路的硅CMOS工艺实现。深亚微米器件的射频特性和模型。RF发送接收器的单元电路(LNA，VCO，PLL，频率综合器，功率放大器等)的分析和设计。衬底耦合及混合数字，模拟，射频电路设计的相关问题和解决方法。 课程编号：71020062 课程名称：集成电路制造工艺与设备 任课教师：王水弟 内容简介：整个课程从拉单晶硅工艺开始，讲到现代集成电路的新型封装，使学生知道除电路设计以外的集成电路制造工艺过程。重点是详细讲解集成电路制造中的各种单项工艺技术及相关的工艺设备，并用动画的形式，演示一个双阱CMOS反相器的整个制作工艺流程，使学生直观地知道各单项工艺的具体应用。针对MEMS技术的飞速发展，专门有一章介绍了IC制造工艺在MEMS器件制造中的应用。课程还简单介绍了与集成电路制造密切相关的洁净技术，最后对于集成电路进入纳米时代后的一些关键技术及技术难点予以简单介绍。 课程编号：71020073 课程名称：射频CMOS集成电路设计任课教师：池保勇内容简介：通过本课的学习，学生能对无线通讯中的射频收发器的结构，高频低噪音放大器，混频器，振荡器，压控振荡器以及锁相环的工作原理，电路分析和设计能有基本的掌握。参课学生对整个射频集成电路的设计有一个完整的训练。方法一，课内讲课，用国际公认的教材。教课学时计划占总学时的一半;方法二，用国际集成电路工业界通用的设计工具对学生进行培训;方法三，每一位上课的学生，将设计一个或数个射频电路模块;方法四，争取将设计成功的射频电路模块在工业界流水线能投片，流水，封装和测试。 课程编号：81020012 课程名称：超大规模集成网络 任课教师：陈志良 停开 内容简介：当前VLSI网络的发展水平、动向和研究重点、开关电容网络、连续时间网络、人工神经网络、模糊逻辑电路和系统，以及新型开关电流网络与高性能DC-DC变换器等。 课程编号：80260012 课程名称：集成电路设计实践任课教师：李福乐内容简介：通过一个具体的课程项目设计，实现基于CMOS工艺的全定制设计，从总体方案与结构、电路设计与仿真、版图设计与验证到流片测试的全过程训练。 课程编号：80260023 课程名称：密码学与网络安全任课教师：白国强 本年度未开内容简介：传统加密技术;密码算法的数学基础;现代对称加密技术(DES，AES，RC4);非对称加密方法与技术(RSA，ECC);密码功能设置与密钥管理;消息认证和Hash算法;数字签名和认证协议;网络安全协议。 课程编号：70260013 课程名称：数字集成系统设计任课教师：张春内容简介：本课程采用硬件描述语言作为设计输入手段，讲授数字集成系统的设计方法和高层次综合技术。本课程还讲授可编程器件的原理和设计技术，并通过上机实验培养实际动手能力。 课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件任课教师：任天令内容简介：本课程结合国际研究前沿，介绍新型微纳电子材料及器件基本概念、原理与方法。主要内容包括：新型介电材料与集成器件、磁电子材料与器件、低维半导体材料与器件、 分子电子材料与器件等。 课程编号：80260042 课程名称：PLL设计与时钟/频率产生任课教师：李宇根内容简介：本课程介绍锁相环的产生，帮助学生获得针对用于有线和无线通信的锁相环的系统透视方法和电路设计方法。课程的前一半将介绍锁相环的基础理论分析和系统电路设计方法;后一半包含用于不同锁相环应用的材料介绍，和更深入的专题：频率分析，时钟数据恢复，延时锁定环，片上可测性及其补偿，SoC设计中的耦合问题以及未来的挑战。其中耦合问题，可测性问题，片上补偿对于SoC设计和混合信号IC设计也非常有用。 课程编号：80260052 课程名称：半导体存储器技术任课教师：潘立阳内容简介：半导体存储器是微电子技术发展的重要研究领域和支撑技术。本课程主旨为通过对各种主流存储器的基本理论、器件、电路及工艺技术和新型存储器技术的综合讲解，促进学生掌握半导体存储器的设计实现方法，并提高对专业知识的综合应用能力。 课程编号：80260062 课程名称：嵌入式系统设计与实践任课教师：李兆麟内容简介：随着信息化、智能化、网络化的发展，嵌入式系统获得了广大的发展空间，已经应用到了通信、工业监控、国防军事、交通通信、医疗卫生以及人们日常生活的各个方面。本课程通过讲授的方式，并结合课程实践，全面地介绍嵌入式系统的基本原理和实践方法。学生可以通过课堂学习与亲自动手实践，能够充分掌握嵌入式系统的基本知识;软硬件协同设计方法;如何设计复杂的嵌入式系统;嵌入式操作系统以及低功耗设计等。 课程编号：81020022 课程名称：微处理器结构及设计 任课教师：李树国 内容简介：微处理器发展简史;微计算机及微处理器性能评测;指令级结构设计与RISC技术;数据通路与控制单元设计;流水线技术;存储管理与Cache设计;微处理器发展趋势。 课程编号：81020032 课程名称：大规模集成电路测试方法学概论 任课教师：孙义和 内容简介：VLSI逻辑模型和逻辑模拟、VLSI故障模型和故障模拟、VLSI测试生成方法和自动测试图案产生、智能VLSI测试方法和测试图案生成方法、可测性设计的度量和方法、系统层的故障建模和测试生成，以及集成CAI工作中心形成方案和途径等。 课程编号：81020042 课程名称：微电子封装技术 任课教师：蔡坚 内容简介：微电子封装的现状和发展趋势，封装的主要性能指标及电、热、热力学等方面的设计，集成电路封装的主要制造工艺及所用材料，集成电路封装的选择原则及封装的主要失效模式等。 课程编号：81020052 课程名称：微米/纳米技术物理 本年度未开 任课教师：刘泽文 内容简介：有关制作微米/纳米器件及结构的各种技术及其物理原理，包括抗蚀性原理，光学光刻，离子束、电子束、X射线的形成及其与物质的相互作用的物理过程，干法及蚀法刻蚀原理。 课程编号：81020062 课程名称：微机电系统(MEMS) 任课教师：刘理天 内容简介：MEMS的组成、结构、基本原理、设计方法与制作技术，介绍几类典型的MEMS器件;微集成传感器、微执行器和微系统，介绍MEMS在信息、生物、医学、宇航等领域中的应用。 课程编号：81020082 课程名称：VLSI数字信号处理 任课教师：陈弘毅 刘雷波 内容简介：数字信号处理是音视频、通信、测量、导航、信息安全等诸多应用的基础，本课程讲授各种数字信号处理算法的VLSI系统实现的方法与技术，用以指导VLSI芯片设计，达到速度-面积-功耗最优化。 课程编号：81020132 课程名称：集成电路制造与生产管理 任课教师：张志刚 内容简介：运作管理;IC生产工艺技术管理;IC生产流程管理;学习曲线;线性规划在运作管理中的典型运用;实际IC生产计划系统;质量管理引言;统计过程控制(SPC);过程能力研究;供应链管理;独立需求库存系统;IC-CAM系统简介;IC虚拟制造。 课程编号：91020012 课程名称：微电子学最新进展 任课教师：刘理天等 内容简介：MOSFET器件极限、ULSI工艺、设计及封装课题、从微电子到纳电子;深亚微米集成电路设计、数字信号处理及其VLSI实现;微电子机械系统的结构、原理和制作技术及典型器件，模糊控制原理、算法及硬件实现;微处理器最新体系结构及并行处理技术。 课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件 任课教师：任天令 内容简介：课程内容有两部分。一是集成铁电学的基本理论和方法，包括铁电体的结构与基本性质、材料与工艺、器件集成、测试与表征等。二是集成铁电学的应用，包括铁电存储器、MEMS器件、高频器件、红外探测器件等。 课程编号：81020112 课程名称：纳米电子器件 任课教师：王燕 内容简介：纳米电子器件概论;单电子晶体管的原理及应用;共振随穿二极管的原理及应用;碳纳米管的电子结构及其应用;纳米加工技术——通向纳米世界的桥梁。 课程编号：81020122 课程名称：CMOS集成电路制造实验任课教师：刘志弘内容简介：通过本课程的学习能使学生从原来的半导体(集成电路)理论知识的学习真正得到实践的机会。在CMOS集成电路的自我实践和制作中达到理论联系实际的目的。目标：利用以上实验室装备和24小时运行机制，使每个学生都能达到自我制作CMOS集成电路的目标。最终具备独立动手能力及分析能力。保证使用的工艺技术及装备达到目前国内35-8微米技术水平。 课程编号：81020142 课程名称：IC设计与方法任课教师：张春内容简介：本课程旨在使学生对于IC设计的技术及流程建立完整的概念，学习和了解IC设计的方法， 掌握IC设计的工具。通过该课程的学习及实验，培养IC设计的实际动手能力。 四、学位论文共有2篇博士论文获奖，一篇获清华大学优秀博士论文一等奖;一篇获清华大学优秀博士论文二等奖，7篇硕士论文被评为清华大学校级优秀硕士论文。欢迎向158教育在线知道提问

你可以到网上论文或到图书馆里上网查下，用关键词

有没有认识南昌大学刘晓红教授的？

南昌大学的，怎么没听说过这个人啊。

@2楼:南昌大学的，怎么没听说过这个人啊。 也许她假文献发表多了，出事了?

@3楼:也许她假文献发表多了，出事了?
... 不知道不瞎说。

云南大学硕士、博士学位论文作假行为处理办法

首先，如果是为他人代写学位论文或者其组织者，如果属于在读学生的，可以给予开除学籍处分;属于学位授予单位的教师或其他工作人员的，可以开除或解除聘任合同。对于弄虚作假购买论文的学生，一经发现，取消其学位申请资格;已获得学位的，撤销其学位，并注销学位证书。除了买卖论文，还有对论文数据作假或者剽窃他人作品和学术成果也是不允许的。对于违反国家的有关规定或弄虚作假行为，在申请所示学位过程中，被发现者，取消本次申请资格，三年内不再接受申请。获得硕士学位证书后被发现者，将撤销其授予硕士学位的决定，吊销其硕士学位证书。而且，学生指导老师也有可能受到处分，情节严重的，可以降低岗位等级，直至开除或解除聘任合同。如果学校多次出现学位论文作假或者学位论文作假行为影响恶劣的学位授予单位，国务院学位委员会或者省、自治区、直辖市人民政府学位委员会可以暂停或者撤销其相应学科、专业授予学位的资格;国务院教育行政部门或者省、自治区、直辖市人民政府教育行政部门可以核减其招生计划，并对负有直接管理责任的学位授予单位负责人进行问责。学位论文造假处罚结果：对于学位申请人员论文作假的，《学位论文作假行为处理办法》明确规定，未获得学位者，“学位授予单位可以取消其学位申请资格”。已获得学位者，“学位授予单位可以依法撤销其学位，并注销学位证书”。取消学位申请资格或者撤销学位的处理决定应当向社会公布。并从做出处理决定之日起至少3年内，各学位授予单位不得再接受其学位申请。不仅如此，学位申请人员为在读的学生，还将面临开除学籍的处分，如果是在职人员，学位授予单位除给予纪律处分外，还将通报其所在单位。除了学位申请人员学位论文作假将受到惩治外，对帮忙作假者，《办法》也做出了严厉处罚规定。在校学生为他人代写、出售学位论文或组织学位论文买卖、代写，同样会受到开除学籍的处分。学校或学位授予单位的教师及其他工作人员参与作假，则面临开除处分或解除聘任合同的处理。对于社会中介组织、互联网站和个人，组织或参与学位论文买卖、代写的，将由有关主管机关依法查处，并依照有关法律法规的规定追究法律责任。按照《办法》，指导教师、相关院系及相关责任人未尽到相应职责的，也可能被追责。例如，《办法》规定：“未履行学术道德和学术规范教育、论文指导和审查把关等职责，其指导的学位论文存在作假情形的，学位授予单位可以给予警告、记过处分;情节严重的，可以降低岗位等级直至给予开除处分或者解除聘任合同。”对于“制度不健全、管理混乱，多次出现学位论文作假或学位论文作假行为影响恶劣”的学位授予单位，将“暂停或撤销其相应学科专业授予学位的资格、核减其招生计划”。

教学部规定，对这种行为，如果是未取的学位的，撤销其学位申领资格；已获得学位的，撤销其学位资格，同时自处理之日起三年内，剥夺其学位申请的资格，如果是在读学生还可开学除其学籍。

教育部颁布的首部处理学术不端行为的部门规章《学位论文作假行为处理办法》，2013年1月1日起开始正式实施。根据办法，向学位授予单位申请博士、硕士、学士学位所提交的博士学位论文、硕士学位论文和本科学生毕业论文，包括毕业设计或其他毕业实践环节等，都在学位论文之列。学位论文作假的五种情形包括：购买、出售学位论文或者组织学位论文买卖；由他人代写、为他人代写学位论文或者组织学位论文代写；剽窃他人作品和学术成果；伪造数据；有其他严重学位论文作假行为。学位申请人员论文作假的，未获得学位者，可取消申请资格；已获得学位者，可撤销其学位，并注销学位证书。同时，从做出处理决定之日起至少3年内，各学位授予单位不得再接受其学位申请。学位申请人员为在读学生的，还将面临开除学籍的处分；为在职人员的，除给予纪律处分外，还将通报其所在单位。在校学生为他人代写、出售学位论文或组织学位论文买卖、代写的，可开除学籍。学校或学位授予单位的教师及其他工作人员参与作假，可开除或解除聘任合同。指导教师、相关院系及相关责任人未尽到相应职责的，也可能被追责。

首先是取消学位论文的成绩，根据作假的程序决定是否取消学位，因为这种行为严重影响了学术氛围，对学校和学生的影响都是负面的。