半导体光电材料论文题目大全高中

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近些年弹药发展的特点是：将功能单一的炮弹改用多功能战斗部，使其能攻击多种先进战斗部的研发及新型引信、高能量密度材料等在弹上适时应用，将不断提高

半导体光电发射的三步物理过程，并比较金属和半导体光电发射的差别？　　答：　　（1）半导体中电子吸收光子的能量而被激发到高能带上：　　（2）这些被激发的电子在向表面运动的过程中受到散射而损失一部分能量：　　（3）到达表面的电子克服表面的电子亲和势而逸出；　　金属在可见光范围内对入射光有高的反射，吸收率少，而半导体有较高的吸收系数，因此对于吸收光子而言，半导体更有效。金属因其自由电子浓度大，光子受到很强的电子散射，在运动很短的距离内就达到热平衡，这样只有近表面的光电子才能逸出表面，对于半导体，它的自由电子很少，光电子受到电子散射可以忽略不计，而造成光电子能量损失的主要原因是晶格散射，光电子与价键电子碰撞产生二次电子空穴对。　　光电倍增管电阻电容简明连接图，说明电阻链的电阻值如何选取，最后电容的作用？　　答：电位信号增大时，管内阻减小，使分压电阻链上的极间电压减少，造成放大倍数下降和光电特性变坏，为了减小内阻变化对电阻链的分流，要求分压电阻适当小。 Iin+Id=Iout+Ie 因为Iin远小于Iout，Id远大于Iout 所以Id约等于Ie=Ir Ir远大于20Iamax，所以R小于等于Uak/(20Iamax*n) Ir不能取太大，否则分压电阻链功耗增大。　　在光脉冲入射时，最后几级打拿极的瞬间电流很大，使最后几级分压电阻上的压降明显突变，导致阳极电流过早饱和，使光电倍增管灵敏度下降，为此常在最后三级电阻上并联电路电容，使电阻链上分压基本保持不变。　　说明近贴型光电系统所加电压与极间距离与像质的影响？　　答：图（略）　　当电子到达阳极时，落点的径向高度位 公式略　　由此可知，单能电子束最大弥散圆斑半径位 公式略 由此可知所加电压越大，半径越小，成像质量越高；电极极间距离L越小，成像质量越高。所以，为了得到较好的像质，应减小电极间距L，提高电压。　　光学传递函数：输出函数的傅里叶变换与输入函数的傅里叶变换之比；　　调制传递函数：线性扩展函数的傅里叶变换的模M(f);　　相位传递函数：线性扩展函数的傅里叶变换的幅角P(f)；　　对比传递函数：像函数的对比度与物函数的对比度之比。　　正弦物函数输入像管，说明其输出成像特征。　　答：（1）像的光强度仍为正玄分布，并且二者平均亮度相同，空间频率相同　　（2）经光学系统后，像的振幅为M(f)Im，调制度低于M(f)倍　　（3）像的交变部分附加一个初相角P(f)。　　说明二代像增强器的结构类型和各自的特点。　　（1）近贴式MCP像增强器　　优点：体积小，重量轻 轴上及轴外像质均匀 图像无畸变，放大率为1　　缺点：电子到达MCP的能量小，其增益受限 其MTF不及一代像管 寿命由于MCP的管壁放气而受影响 光反馈严重　　（2）静电聚焦式MCP像增强器　　特点：与近贴式像管比较，有如下改进：入射面的电子能量增大使整个管的增益增大 倒像管，其MTF优于近贴管　　二代管与三代管的比较　　（1）二代管的特点　　优点：体积小，重量轻，耗能少，供电方便 增益高且连续可调 由于电流饱和特性可防强光 可消除光晕　　缺点：噪声大　　（2）三代管特点　　优点：体积小，重量轻 增益高 防强光 可消除光晕 噪声低 图像分辨率高　　缺点：造价高 结构复杂 稳定性差　　与三代管相比，四代微光像增强器特点　　答：四代微光像增强器采用体电导MCP，其导电是由整个体材料组成，不需要烧氢处理，离子反馈大大减小，同时，采用自动脉冲门控电源，提高像增强器的信噪比，在目标探测距离和分辨率方面有很大提高，还减少光晕对像的影响，有助于改善其在强光下的视觉性能，其结构与第三代微光像增强器一样。　　为什么摄像管要进行光电积累，光电积累时间是多少？　　答：因为在电视的研究发展中遇到的主要问题是图像的传递、灵敏度的提高以及像质的改善。而这些问题都与电视系统的核心部件——摄像管密切相关，若没有信号的积累过程，光能的利用率太低，所以灵敏度低光电积累时间（N-1）T/N约40ms ，其中T位帧周期，N为像素数。　　说明电视系统光电转换、电光转换的特性。　　答：摄像管的光电转换特性指输出信号与产生该信号的光敏面上的辐射照度的函数关系，is=kEr，其中r值只有一定范围内才是常数，而在E很大时，由于is趋于饱和而使r值下降，曲线的弯曲点是信号趋于饱和的标志。　　L=kEr1r2r3=kEr，当r>1时，即L与E成超线性关系，此时亮单位更亮，暗单位更暗，致使整个图像对比增大，并且越是亮的区域，对比增大的越多，暗的区域对比相对缩小。当r<1时，L与E成超线性关系，暗区比亮区更大的亮度对比。　　图略　　说明PoB靶视像管的结构和工作原理。　　答：视像管的结构由光学系统、靶、电子枪、聚焦。扫描系统等组成。　　某个像素在光存储器件，靶右边电位位Vi=IiRi(1-e-t/RiCi)。像元的充电时间近似于帧周期Tf=40ms，因此电子束对它扫描之前，Ci右边电位最大Vim=IiRi(1-e-Tf/RiCi)。当电子束扫描像元时，接通时间为0625us，电流通过电阻Rb，电容Ci，负载Rl，靶电源Ut和地构成通路，电容器Ci放电，电容右侧电位被放至Vb接近于0，Ci电容器右边电位变化为Vb=Vim(1-e-t/(Rl+Rb)Ci)，Rb为某电阻，通常为10M，而Rl远小于1M，所以Vb=Vim(1-e-t/RbCi)，电荷变化量q=Ci(Vim-Vb)经电容C耦合出电流变化，信号从C耦合出来。　　画出浮置扩散层输出结构图，并说明工作原理。　　答：图略　　浮置扩散层的输出信号直接送给片子上的MOSFETT2的栅极。当Φ3由高电平转为低电平时，Φ3电荷转移到扩散层，节点D电位变化与信号电荷的关系ΔUd=Qs/CCfd为浮置扩散点上的总电容，ΔUd经T2放大后的电压增益为Gv=gmRl/(1+gmRl)，其输出电压为ΔVout=ΔUd*G当Φreset为正脉冲时T1管导通。Vgg电压直接加到D点上，使扩散层处于强反偏状态。当一个电荷输出完毕，下一个电荷还没输入之前，把前一个点荷包抽走，以便接受新信号。　　42说明帧/场转移面阵CCD工作原理。　　答：（1）光积分，在光敏区将光信号转化为电信号，光生电荷被收集在光敏区电极下的势阱中。　　（2）帧转移，在相当于场消隐时间内将光敏区信号转移入暂存区。　　（3）行转移，在相当于行消隐时间内将暂存区的电信号安一行一行的转移到水平读出寄存器　　（4）位转移，进入读出寄存器的信号电荷，在水平时钟驱动下，将行内电荷一个个读出，得到视频信号。　　说明行间转移结构CCD的工作原理　　答：（1）在光敏区进行信号积累，将光信号转化为电信号　　（2）完成一帧积累后，将积累的电信号转移给垂直移位寄存器　　（3）在帧扫描时，垂直移位寄存器中的电荷，从上到下，按每排依次进入水平寄存器读出。　　（4）位转移得到视频信号。

首先半导体导电性能介于导体与绝缘体之间的材料~ 光电材料能把电变成光，也有的能把光变成电，还有的能对光和电的信号进行各种处理和放大。

南航材料导论表示也需要

半导体光电材料论文题目大全

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不懂，碳纤材料是导电的，低密度高强度耐高温耐腐蚀打个广告，有需要了解的可以联系

能进行和实现光电转换的半导体材料就叫半导体光电材料。

能实现光能和电能之间相互转化的，或者能对光和电的信号进行各种处理和放大。日常生活中也多见。能把光转化为电能的：如硅光电池。平时我们用的太阳能计算器就是利用硅光电池的。能把电能转化为光的：如发光二极管（LED）这些都是半导体光电材料

半导体光电材料论文选题题目大全

【摘要】体育科学横跨自然科学与社会科学两大门类，具有极强的综合性特征，有其独特的研究对象和科学方法，体育科研论文的写作亦有自己的特点与要求。本文仅就体育科研论文的文章结构、基本格式以及内容与要求作一探讨。【关键词】科研论文；文章结构；基本格式；内容与要求OntheBasicStructureandFormofSportsScienceThesis【Keywords】Thesis;StructureandForm;ContentandRequirement＊＊＊1前言从事体育科学研究活动，必须具备多学科的知识、多方面的能力和科学的方法。体育科技写作，不仅是体育工作者应具备的知识和能力，而且是必须把握的一种具体的科研方法。因为，一切体育科学研究之成果最后大都以科研论文这种书面表达形式，经科技信息载体传播于世的。体育科研成果如不能最后写成科技作品（论文），公布于众，那么一切个人的科学见解和观点，一切创造和发明，都不可能得到传播和利用，产生应有的社会效益，而只能是研究者头脑里的一些思维活动罢了，世人是无法知晓的，如然，也就失去了科学研究的意义了。诚然，人们衡量体育科研论文质量的标准主要取决于其理论和实践价值的大小，然而，论文所反映的研究成果能否迅速的向社会传播并准确的被人们所理解则取决于论文写作水平的高低。这表明，一篇高质量的体育科研论文要求其内容和形式的统一。随着体育科学的迅速发展，科技信息量与日俱增，据报道，目前全世界体育期刊已达5000余种，每年问世的体育科技文献约25000—30000篇，平均天天有80余篇。体育科研成果的传播、贮存与利用，引起了人们的高度重视，借助于现代科技工具——计算机对体育科技成果、信息进行贮存、检索，使之迅速地传播与利用，已成为一种先进的传播交流手段。微机贮存与检索，要求体育科技学术期刊编排实现规范化，而期刊编排规范化首先要求论文写作的规范化。要实现体育科研论文写作的规范化，就必须了解体育科技写作知识，把握其写作方法和技巧。笔者因职业之原故，拜读体育科研论文原稿颇多，从研读原稿论文感到许多科研论文的选题和所研究的内容颇有价值，但论文写作不符合期刊编排规范化和科研论文撰写的要求。其中最为普遍的突出的问题是文章结构层次混乱、写作格式极不统一（尤其是理论型和实验型的“定量化”研究论文）。这不仅给编者和读者熟悉和理解论文之精髓增加了难度，也直接影响了体育科研成果的传播、贮存和利用。体育科技写作，作为一种科研方法，涉及的知识结构内容颇多，不同文体的体育科技作品有不同的写作要求。本文仅对体育科研论文的文章结构和基本撰写格式的内容与要求作一探讨。2体育科研论文的文章结构根据写作目的的不同、研究对象和方法的差别，体育科研论文大致分为两类，一类是学位论文，一类是学术论文。学位论文，是体育院校的学生或体育科研院（所）研究人员旨在取得学位而写作的论文。如学士论文、硕士论文、博士论文。学术论文，是广大体育工作者在体育实践中为研究和解决某一问题而写作的论文。目前，体育科学技术、理论研究的新成果大部分都是以学术论文的形式发表在体育科技学术刊物上。由于研究对象和方法的差别，学术论文又分为两种类型，即理论型论文和实验型论文。虽然体育科研论文的种类很多，构成的形式多样，但就其文章的主体结构有它的基本型，即序论、本论、结论的三段式。2。1序论部分的写作内容与要求序论，是论文的开头、引子，好比一出长剧的序幕，要有吸引力。通常以引言、导言、绪言、前言等小标题冠之，也可以不冠以任何小标题。该部分的写作内容主要有三个方面：①介绍课题研究的背景材料，前人的工作和现在的知识空白；②研究的理由、目的，理论依据和实验基础，预期结果及其在相关领域里的地位、作用和意义；③交待课题研究的范围、任务。这一部分要写得简明扼要，在整篇文章中它所占的比例要小。具体要求是背景材料的介绍要准确、具体，紧扣课题；研究的说明要实事求是，对作用意义不可夸大和自我评价；任务的交待应具体、明确。2。2本论部分的写作内容与要求本论也称正论，它是体育科研论文的主体，课题的“创造性”主要在这一部分表达出来，它反映了论文所建立的学术理论、采用的技术路线和研究方法达到的水平，简言之，本论水平决定了整个论文的水平。

其实写毕业论文还是要和以后的求职方向相关。所以你应该好好考虑下选题。比如液晶显示及制造技术。选一个目前在液晶显示中存在的问题，比如透过率的问题，比如显示视角的问题、比如大尺寸显示存在的问题，或者如果在液晶面板制造实现低能耗。你写了这个论文，还可以分分钟去一些大企业，京东方、华星光电、天马等。

不知道怎么写的话也可以参考下别人是怎么写的呀~看下（材料科学）或者（材料化学前沿）这样类似的期刊多学习学习下呗~

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好发。建议多看一些半导体材料论文相关的期刊找找灵感和材料。比如《新材料产业》(月刊)、《广东化工》、《化学研究与应用》杂志等。想要了解期刊投稿格式，审稿时间，发表费用的知识也可以咨询月期刊的在线老师，他们的经验比较丰富，能为您尽早的安排到合适的期刊上面。

狭义的半导体光电器件主要针对无机半导体；广义的半导体光电器件包括OPV，例如常用的P3HT通常可称之为有机半导体材料。

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高分子材料的制品属於最年轻的材料它不仅遍及各个工业领域，另外，（材料科学）里面的资料，让你找找自己的灵感

最早的半导体材料以硅（包括锗）为主。随着信息发展，人们需求的增加，出现了以砷化镓（GaAs）等为代表的半导体材料，算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS)，碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。SiC是在历史上研究得较早的一种半导体，但由于它的晶相很多，单晶生长困难，成本高。氮化镓是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半导体。它有很强的键强度，决定了它的材料强度大，耐高温，耐缺陷，不易退化，在器件应用上有很多优点。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 　　元素半导体 在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体，其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、 　　 Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低，Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。 　　无机化合物半导体 分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构，它们在应用方面仅次于Ge、Si，有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式，如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物，为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InA 　　 s-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。 　　三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的， 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成，如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更复杂的无机化合物。 　　有机化合物半导体 已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。 　　非晶态与液态半导体 这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。